Dispositivi di potenza
I dispositivi di potenza a semiconduttore di terza generazione sono realizzati principalmente con materiali semiconduttori ad ampio bandgap come il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN) e, rispetto ai tradizionali dispositivi a base di silicio, presentano vantaggi significativi come un'ampia ampiezza di bandgap, un'elevata intensità del campo elettrico di breakdown e una rapida velocità di deriva della saturazione elettronica. Queste caratteristiche consentono ai dispositivi di potenza a semiconduttore di terza generazione di funzionare stabilmente in condizioni estreme come alta temperatura, alta tensione e alta frequenza, e di avere una maggiore densità di potenza, minori perdite in stato attivo e perdite di commutazione, il che può migliorare efficacemente l'efficienza di conversione energetica. Pertanto, sono ampiamente utilizzati in settori come i veicoli a nuova energia, la generazione di energia fotovoltaica, le comunicazioni 5G e il trasporto ferroviario, diventando i componenti principali che guidano la trasformazione energetica e lo sviluppo di settori manifatturieri di fascia alta, e sono di grande importanza per il raggiungimento del risparmio energetico e l'ammodernamento industriale.
Nella ricerca e produzione di dispositivi di potenza a semiconduttore di terza generazione, le prestazioni dello strato di composto metallico di interfaccia (IMC) svolgono un ruolo cruciale per l'affidabilità e la stabilità dei dispositivi. La tecnologia di diffrazione a retrodiffusione di elettroni (EBSD), potente strumento per l'analisi della microstruttura dei materiali, consente di analizzare in modo approfondito le informazioni cristallografiche, la distribuzione dell'orientamento e la composizione di fase dello strato IMC. Tuttavia, per ottenere dati EBSD di alta qualità, la preparazione del campione è un prerequisito fondamentale. Di seguito sono riportati i metodi di preparazione del campione a scopo di riferimento.