第三世代半導体パワーデバイス用EBSDサンプルの作製

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 第三世代半導体パワーデバイス用EBSDサンプルの作製

パワーデバイス
第三世代半導体パワーデバイスは、主にシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのワイドバンドギャップ半導体材料をベースに製造されており、従来のシリコンベースのデバイスと比較して、バンドギャップ幅が広く、破壊電界強度が高く、電子飽和ドリフト速度が速いなどの大きな利点があります。これらの特性により、第三世代半導体パワーデバイスは、高温、高電圧、高周波などの過酷な条件下でも安定して動作し、電力密度が高く、オン損失とスイッチング損失が低いため、エネルギー変換効率を効果的に向上させることができます。そのため、新エネルギー車、太陽光発電、5G通信、鉄道輸送などの分野で広く使用され、エネルギー変換とハイエンド製造業の発展を牽引する中核部品となり、省エネと産業の高度化を実現する上で大きな意義を持っています。
第三世代半導体パワーデバイスの研究・製造において、界面金属化合物(IMC)層の性能はデバイスの信頼性と安定性に極めて重要な役割を果たします。材料微細構造解析の強力な手段として、電子後方散乱回折(EBSD)技術は、IMC層の結晶構造情報、配向分布、相組成を詳細に分析することができます。しかし、高品質なEBSDデータを得るには、サンプル調製が不可欠な前提条件となります。以下に、参考となるサンプル調製方法をご紹介します。

特鲁2

特3

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