Dispositivos de energia
Os dispositivos semicondutores de terceira geração são fabricados principalmente com base em materiais semicondutores de banda larga, como carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN), e, em comparação com os dispositivos tradicionais à base de silício, apresentam vantagens significativas, como grande largura de banda, alta intensidade de campo elétrico de ruptura e rápida velocidade de deriva de saturação de elétrons. Essas características permitem que os dispositivos semicondutores de terceira geração operem de forma estável em condições extremas, como alta temperatura, alta tensão e alta frequência, e tenham maior densidade de potência, menores perdas no estado ligado e perdas de comutação, o que pode efetivamente melhorar a eficiência da conversão de energia. Portanto, são amplamente utilizados em áreas como veículos de nova energia, geração de energia fotovoltaica, comunicação 5G e transporte ferroviário, tornando-se os principais componentes que impulsionam a transformação energética e o desenvolvimento de indústrias de manufatura de ponta, sendo de grande importância para alcançar a conservação de energia e a modernização industrial.
Na pesquisa e produção de dispositivos semicondutores de potência de terceira geração, o desempenho da camada de composto metálico de interface (IMC) desempenha um papel crucial na confiabilidade e estabilidade dos dispositivos. A tecnologia de difração de elétrons retroespalhados (EBSD), como um poderoso meio de análise da microestrutura de materiais, pode analisar profundamente as informações cristalográficas, a distribuição de orientação e a composição de fases da camada IMC. No entanto, para obter dados EBSD de alta qualidade, a preparação da amostra é um pré-requisito crucial. A seguir, são apresentados os métodos de preparação da amostra para sua referência.
