Dispositivos de potencia
Los dispositivos semiconductores de potencia de tercera generación se fabrican principalmente con materiales semiconductores de banda prohibida amplia, como el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN). Comparados con los dispositivos tradicionales de silicio, presentan ventajas significativas, como una banda prohibida amplia, una alta intensidad de campo eléctrico de ruptura y una rápida velocidad de deriva de saturación electrónica. Estas características les permiten operar de forma estable en condiciones extremas como alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia, además de presentar una mayor densidad de potencia, menores pérdidas en estado activo y de conmutación, lo que mejora eficazmente la eficiencia de conversión energética. Por lo tanto, se utilizan ampliamente en campos como los vehículos de nueva energía, la generación de energía fotovoltaica, la comunicación 5G y el transporte ferroviario, convirtiéndose en componentes clave que impulsan la transformación energética y el desarrollo de industrias manufactureras de alta gama, y son de gran importancia para el ahorro energético y la modernización industrial.
En la investigación y producción de dispositivos semiconductores de potencia de tercera generación, el rendimiento de la capa de compuesto metálico de interfaz (IMC) desempeña un papel crucial en la fiabilidad y estabilidad de los dispositivos. La tecnología de difracción por retrodispersión de electrones (EBSD), como potente método de análisis de la microestructura de materiales, permite analizar en profundidad la información cristalográfica, la distribución de la orientación y la composición de fases de la capa IMC. Sin embargo, para obtener datos EBSD de alta calidad, la preparación de muestras es un requisito fundamental. A continuación, se presentan los métodos de preparación de muestras como referencia.
