Dispositifs d'alimentation
Les dispositifs de puissance à semi-conducteurs de troisième génération sont principalement fabriqués à partir de matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN). Comparés aux dispositifs traditionnels à base de silicium, ils présentent des avantages significatifs, tels qu'une large bande interdite, un champ électrique de claquage élevé et une dérive rapide de la saturation électronique. Ces caractéristiques permettent aux dispositifs de puissance à semi-conducteurs de troisième génération de fonctionner de manière stable dans des conditions extrêmes telles que haute température, haute tension et haute fréquence, et d'afficher une densité de puissance plus élevée, ainsi que des pertes à l'état passant et de commutation plus faibles, ce qui améliore considérablement le rendement de conversion énergétique. Par conséquent, ils sont largement utilisés dans des domaines tels que les véhicules à énergies nouvelles, la production d'énergie photovoltaïque, la communication 5G et le transport ferroviaire, devenant des composants clés de la transformation énergétique et du développement des industries manufacturières haut de gamme. Ils jouent un rôle crucial dans la réalisation des économies d'énergie et la modernisation industrielle.
Dans la recherche et la production de dispositifs semi-conducteurs de puissance de troisième génération, la performance de la couche de composé métallique d'interface (IMC) joue un rôle crucial dans la fiabilité et la stabilité des dispositifs. La technologie de diffraction d'électrons rétrodiffusés (EBSD), puissante méthode d'analyse de la microstructure des matériaux, permet d'analyser en profondeur les informations cristallographiques, la distribution d'orientation et la composition de phase de la couche IMC. Cependant, pour obtenir des données EBSD de haute qualité, la préparation des échantillons est essentielle. Voici quelques méthodes de préparation d'échantillons à titre indicatif.