Stromversorgungsgeräte
Die Halbleiter-Leistungsbauelemente der dritten Generation werden hauptsächlich auf Basis von Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) hergestellt. Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Bauelementen bieten sie erhebliche Vorteile wie eine große Bandlücke, eine hohe Durchbruchfeldstärke und eine schnelle Elektronensättigungsdrift. Diese Eigenschaften ermöglichen den Halbleiter-Leistungsbauelementen der dritten Generation einen stabilen Betrieb unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen, hohen Spannungen und hohen Frequenzen. Sie zeichnen sich durch eine höhere Leistungsdichte, geringere Durchlass- und Schaltverluste aus, was den Wirkungsgrad der Energieumwandlung effektiv verbessern kann. Daher finden sie breite Anwendung in Bereichen wie Fahrzeugen mit alternativer Energie, Photovoltaik, 5G-Kommunikation und Schienenverkehr und entwickeln sich zu Kernkomponenten, die die Energiewende und die Entwicklung hochwertiger Fertigungsindustrien vorantreiben. Sie sind von großer Bedeutung für Energieeinsparungen und die Modernisierung der Industrie.
In der Forschung und Produktion von Halbleiter-Leistungsbauelementen der dritten Generation spielt die Leistung der Interface-Metal-Compound-Schicht (IMC) eine entscheidende Rolle für die Zuverlässigkeit und Stabilität der Bauelemente. Die Elektronenrückstreubeugungstechnologie (EBSD) ist ein leistungsstarkes Mittel zur Materialmikrostrukturanalyse und ermöglicht eine detaillierte Analyse der kristallografischen Informationen, der Orientierungsverteilung und der Phasenzusammensetzung der IMC-Schicht. Um qualitativ hochwertige EBSD-Daten zu erhalten, ist die Probenvorbereitung jedoch eine entscheidende Voraussetzung. Im Folgenden finden Sie die Methoden zur Probenvorbereitung.