Basati sulla giunzione metallo-semiconduttore che forma una barriera di Schottky, i diodi Schottky conducono l’elettricità tramite i portatori maggioritari senza effetto di accumulo dei portatori minoritari. I loro principali vantaggi includono una caduta di tensione diretta estremamente bassa (0,2–0,45 V), una velocità di commutazione molto elevata (livello nanosecondi) e basse perdite di potenza.

Quando sono polarizzati in avanti, la barriera si riduce favorendo una rapida conduzione degli elettroni; quando sono polarizzati al contrario, la barriera aumenta per controllare efficacemente la corrente di dispersione.

Grazie alle loro eccellenti prestazioni, sono ampiamente utilizzati in applicazioni a bassa tensione e ad alta frequenza: nella raddrizzazione e nel circuito di ricircolo nelle alimentazioni a commutazione e nei convertitori DC-DC, migliorando l’efficienza e riducendo la generazione di calore; come dispositivi di rivelazione e miscelazione nei circuiti RF, adatti alle comunicazioni 5G e alle microonde; inoltre impiegati nella protezione contro il sovraccarico inverso nei sistemi fotovoltaici, nella protezione contro il collegamento inverso delle batterie, negli OBC automobilistici, nei driver LED e così via.

In futuro, materiali a banda larga come il SiC e il GaN supereranno i limiti di tensione e temperatura dei dispositivi a base di silicio. I diodi Schottky in SiC sono già ampiamente impiegati nei veicoli a nuova energia e negli inverter fotovoltaici ad alta tensione. Con l’evoluzione dei dispositivi verso alte tensioni, elevate temperature e maggiore integrazione, la sostituzione nazionale sta accelerando, con una crescente domanda nei settori della ricarica rapida, dei data center, delle reti intelligenti e altri ambiti, offrendo ampie prospettive di mercato.

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