Basés sur la jonction métal-semiconducteur formant une barrière de Schottky, les diodes Schottky conduisent l’électricité grâce aux porteurs majoritaires, sans effet de stockage des porteurs minoritaires. Leurs principaux avantages incluent une chute de tension directe ultra-faible (0,2–0,45 V), une vitesse de commutation extrêmement élevée (niveau nanosecondes) et de faibles pertes de puissance.
En polarisation directe, la barrière diminue, permettant une conduction électronique rapide ; en polarisation inverse, la barrière s’élève afin de contrôler efficacement le courant de fuite.
Grâce à leurs excellentes performances, elles sont largement utilisées dans des applications basse tension et haute fréquence : redressement et roue libre dans les alimentations à découpage et les convertisseurs DC-DC pour améliorer l’efficacité et réduire la chaleur générée ; dispositifs de détection et de mélange dans les circuits RF, adaptés aux communications 5G et micro-ondes ; elles sont également employées dans la protection contre la charge inversée des systèmes photovoltaïques, la connexion anti-retour des batteries, les onduleurs embarqués automobiles, les drivers LED, etc.
À l’avenir, les matériaux à large bande interdite tels que le SiC et le GaN permettront de surmonter les limitations de tension et de température des dispositifs à base de silicium. Les diodes Schottky au SiC ont déjà été largement appliquées dans les véhicules à énergies nouvelles et les onduleurs photovoltaïques haute tension. À mesure que les dispositifs évoluent vers des niveaux élevés de tension, de température et d’intégration, la substitution domestique s’accélère, avec une demande croissante dans les domaines de la recharge rapide, des centres de données, des réseaux intelligents et autres, offrant ainsi de vastes perspectives de marché.
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