Baseados na junção metal-semicondutor que forma uma barreira de Schottky, os diodos de Schottky conduzem eletricidade por meio dos portadores majoritários, sem o efeito de armazenamento de portadores minoritários. Suas principais vantagens incluem queda de tensão direta extremamente baixa (0,2–0,45 V), velocidade de comutação extremamente rápida (nível de nanossegundos) e baixa perda de potência.
Quando polarizados diretamente, a barreira diminui, permitindo uma condução rápida de elétrons; quando polarizados inversamente, a barreira aumenta, controlando eficazmente a corrente de fuga.
Com desempenho excelente, são amplamente utilizados em cenários de baixa tensão e alta frequência: retificação e rolagem livre em fontes de alimentação comutadas e conversores CC-CC, visando melhorar a eficiência e reduzir a geração de calor; dispositivos de detecção e mistura em circuitos de RF, adaptando-se às comunicações 5G e micro-ondas; também empregados em proteção contra carga reversa em sistemas fotovoltaicos, conexão anti-reversa de baterias, OBC automotivo, drivers de LED, entre outros.
No futuro, materiais de banda larga, como SiC e GaN, superarão os limites de tensão e temperatura dos dispositivos baseados em silício. Os diodos de Schottky de SiC já foram amplamente aplicados em veículos de nova energia e inversores fotovoltaicos de alta tensão. À medida que os dispositivos evoluem para altas tensões, altas temperaturas e maior integração, a substituição nacional vem acelerando, com crescente demanda em carregamento rápido, centros de dados, redes inteligentes e outros campos — apresentando amplas perspectivas de mercado.
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