Basados en la unión metal‑semiconductor que forma una barrera de Schottky, los diodos Schottky conducen electricidad mediante portadores mayoritarios sin presentar efecto de almacenamiento de portadores minoritarios. Sus principales ventajas incluyen una caída de tensión directa extremadamente baja (0,2–0,45 V), una velocidad de conmutación muy rápida (nivel de nanosegundos) y bajas pérdidas de potencia.
Cuando se polariza en sentido directo, la barrera disminuye para permitir una conducción rápida de electrones; cuando se polariza en sentido inverso, la barrera aumenta para controlar eficazmente la corriente de fuga.
Gracias a su excelente rendimiento, se utilizan ampliamente en aplicaciones de bajo voltaje y alta frecuencia: rectificación y rueda libre en fuentes de alimentación conmutadas y convertidores DC‑DC para mejorar la eficiencia y reducir la generación de calor; dispositivos de detección y mezcla en circuitos de RF, adaptándose a las comunicaciones 5G y microondas; además, se emplean en sistemas de protección contra la carga inversa en fotovoltaicos, conexiones antirreversas en baterías, OBC automotrices, controladores LED, entre otros.
En el futuro, materiales de banda prohibida ancha como el SiC y el GaN superarán las limitaciones de voltaje y temperatura de los dispositivos basados en silicio. Los diodos Schottky de SiC ya se han aplicado ampliamente en vehículos de nueva energía y en inversores fotovoltaicos de alto voltaje. A medida que los dispositivos evolucionan hacia altos voltajes, altas temperaturas y mayor integración, la sustitución nacional se acelera, con una creciente demanda en sectores como la carga rápida, los centros de datos, las redes inteligentes y otros campos, lo que augura amplias perspectivas de mercado.
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