La pulverización térmica es una tecnología avanzada de ingeniería de superficies que calienta los materiales hasta un estado fundido o semifundido y, a continuación, los rocía sobre la superficie de un sustrato a alta velocidad para formar un recubrimiento protector funcional.
Al igual que aplicar una armadura hecha a medida a las piezas de trabajo, mejora significativamente propiedades clave como la resistencia al desgaste, la resistencia a la corrosión, la resistencia a altas temperaturas, el aislamiento térmico, el aislamiento eléctrico o la conductividad eléctrica.
Desde la pulverización con llama y la pulverización por arco hasta la pulverización por plasma, los procesos se han ido actualizando de forma continua, y la calidad y la precisión del recubrimiento han mejorado de manera constante. Se utiliza ampliamente en sectores de fabricación de alta gama como la industria aeroespacial, la petroquímica, la maquinaria y los moldes.
Como método fundamental para evaluar la calidad del recubrimiento, el análisis metalográfico caracteriza con precisión la porosidad, la unión interfacial, las fases y el espesor del recubrimiento, proporcionando datos esenciales para la optimización del proceso y el control de calidad.
La evaluación de las propiedades del recubrimiento depende en gran medida del examen metalográfico preciso, y la calidad de la preparación de las muestras determina directamente la fiabilidad de los resultados.
Problemas comunes como la mala evaluación de la porosidad, las grietas artificiales y el daño en la interfaz suelen deberse a procedimientos de preparación inadecuados, más que a defectos reales en el recubrimiento.
A continuación se presenta un flujo de trabajo recomendado para la preparación metalográfica de recubrimientos aplicados por pulverización con llama:
1️⃣ Pulir con papel abrasivo metalográfico P180
2️⃣ Pulido fino con disco de rectificado POS + suspensión de pulido PD-WT de 9 μm
3️⃣ Pulido grueso con paño de pulido GF-JP + suspensión de pulido PD-WT de 3 μm
4️⃣ Pulido final con paño de pulido ET-JP + suspensión de pulido PD-WT de 1 μm
